shutterstock 1655755441
Komerce

EEPROM – programovatelná součástka

0 Shares

EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) je typ počítačové paměti. Lze do ní zapisovat opakovaně údaje.

 Co je to EEPROM?

EEPROM je energeticky nezávislá paměť. Jakmile dojde k odpojení napájení, nedochází ke ztrátě obsahu. EEPROM má malou kapacitu paměti (pojme jen několik desítek kB), ale vzhledem k nestálosti a nízkým výrobním nákladům má široké využití. Používá se v produktech, kdy je potřeba ušetřit jen minimum dat, například v případě firmware hardwaru. 

Ačkoliv má skutečně malou paměť, v praxi se používají řešení, kdy musí být tato paměť několikanásobně větší. Nejčastěji se jedná o přenosné počítače, kam se ukládají soubory pro BIOS. 

Jak se zapisuje a čte v EEPROM?

Přepis či zápis do paměti EEPROM lze provádět po jednotlivých bytech. Naopak v paměti FLASH se mazání a zápis provádí hromadně. Aby bylo možno zápis provádět, je nutné použít speciální přístupové procedury, vyrovnávací paměť a RAM. Naopak EEPROM čip nevyžaduje ke čtení a zápisu žádné složité operace. Je však potřeba počítat s pomalejším zápisem i čtením, než je tomu právě u Flash pamětí. Rychlost zápisu u EEPROM je přibližně 3,3 ms / buňku.

U EEPROM lze provádět čtení z paměti donekonečna, ale provádění změn je možné pouze omezeně. Záleží to na konkrétním modelu a výrobci. Lze vybírat modely s 10 000 až 1 000 000 cykly. Jakmile počet daných cyklů překročíte, paměť přestává fungovat. Každá operace, kdy dojde k vymazání paměťové buňky, způsobí postupné zhoršování vlastností izolantu. V důsledku toho dochází k úniku elektrického náboje a tím k pomalému mazání obsahu buňky. Čím více cyklů vymazání bylo provedeno, tím je proces rychlejší.

Konstrukce EEPROM

Paměťové buňky EEPROM jsou postaveny na bázi tranzistorů s efektem pole sestávajících ze dvou hradel: plovoucí a řídící. Použití tenčí vrstvy oxidu křemičitého než v případě EPROM mezi plovoucím hradlem a kolektorem a silné elektrické pole umožňuje tunelovací jevy používané při aktivaci tranzistoru. Přiměřeně vysoké napětí a polarizace řídicího hradla/odvodu způsobují hromadění nebo vybíjení nábojů plovoucího hradla.

shutterstock 16557554412

Nabíjení hradla uzamkne tranzistor, což odpovídá logické “0”. Výboj nutí tranzistor k činnosti, což odpovídá výskytu logické “1”. Máte-li zájem o EEPROM či jiné součástky, navštivte stránky tme.eu.

Zdroj foto: raigvi / Shutterstock.com

Hodnocení k článku
Subscribe
Upozornit na
0 Komentáře
Inline Feedbacks
View all comments
tibetusmev   protibet 1
0
Would love your thoughts, please comment.x